Der Heteroübergangs-Bipolartransistor (HBT) ist eine Art von Bipolartransistor (BJT), bei dem unterschiedliche Halbleitermaterialien für den Emitter- und Basisbereich verwendet werden, wodurch ein Heteroübergang entsteht. Der HBT kann Signale mit viel höheren Frequenzen (bis zu mehreren hundert GHz) verarbeiten als der BJT. HBT wird häufig in modernen ultraschnellen Schaltungen, meist in Hochfrequenzsystemen (HF), und in Anwendungen verwendet, die eine hohe Leistungseffizienz erfordern, wie z.B. HF-Leistungsverstärker in Mobiltelefonen. Die Idee, einen Heteroübergang zu verwenden, ist so alt wie der konventionelle BJT und geht auf ein Patent aus dem Jahr 1951 zurück.