Bandlücke
Eine Bandlücke, auch Bandgap oder Energielücke genannt, ist ein Energiebereich in einem Festkörper, in dem keine Elektronenzustände existieren können. Der Begriff wird in der Festkörperphysik und -chemie verwendet.
Bandlücken sind in Isolatoren und Halbleitern zu finden. In Diagrammen der elektronischen Bandstruktur von Festkörpern ist die Bandlücke die Energiedifferenz (in Elektronenvolt) zwischen der Oberseite des Valenzbandes und der Unterseite des Leitungsbandes. Dies ist die gleiche Energie, die benötigt wird, um ein Außenelektron aus seiner Umlaufbahn um den Kern zu befreien, damit es zu einem mobilen Ladungsträger wird. Das freie Elektron kann sich innerhalb des festen Materials frei bewegen. Die Bandlücke ist also ein wesentlicher Faktor, der die elektrische Leitfähigkeit eines Festkörpers bestimmt. Stoffe mit großen Bandlücken sind in der Regel Isolatoren, solche mit kleineren Bandlücken sind Halbleiter. Leiter haben entweder sehr kleine Bandlücken oder keine Bandlücke, wenn sich die Energieniveaus von Valenz- und Leitungsbändern überlappen.
In der Halbleiterphysik
Wissenschaftler nutzen die Bandlücke, um vorherzusagen, ob ein Festkörper Elektrizität leiten wird. Die meisten Elektronen (Valenzelektronen genannt) werden vom Kern nur eines Atoms angezogen. Aber wenn ein Elektron genug Energie hat, um von seinem nächsten Kern wegzufliegen, kann es sich am Fluss des elektrischen Stroms durch die vielen Atome, aus denen der Festkörper besteht, beteiligen. Die Elektronen, die nicht fest an nur einen Kern gebunden sind, werden als Leitungsband bezeichnet.
In Halbleitern und Isolatoren zeigt die Quantenmechanik, dass Elektronen nur in einer Reihe von Energiebändern zu finden sind. Elektronen aus anderen Energieniveaus sind verboten. Der Begriff Bandlücke bezieht sich auf die Energiedifferenz zwischen der Oberseite des Valenzbandes und der Unterseite des Leitungsbandes. Elektronen sind in der Lage, von einem Band in ein anderes zu springen. Ein Elektron benötigt jedoch eine bestimmte Energiemenge, um von einem Valenzband in ein Leitungsband zu springen. Die Menge der benötigten Energie ist bei verschiedenen Materialien unterschiedlich. Elektronen können genug Energie gewinnen, um in das Leitungsband zu springen, indem sie entweder ein Phonon (Wärme) oder ein Photon (Licht) absorbieren.
Ein Halbleiter ist ein Material mit einer kleinen, aber von Null verschiedenen Bandlücke, das sich bei einer Temperatur des absoluten Nullpunktes (0 K) wie ein Isolator verhält, aber bei Temperaturen unterhalb seines Schmelzpunktes durch Wärme genügend Elektronen anregt, um in sein Leitungsband zu springen. Im Gegensatz dazu ist ein Material mit einer großen Bandlücke ein Isolator. Bei Leitern können sich das Valenz- und das Leitungsband überlappen, so dass sie keine Bandlücke haben.
Die Leitfähigkeit von intrinsischen Halbleitern ist stark von der Bandlücke abhängig. Als Ladungsträger stehen nur die Elektronen zur Verfügung, die genügend Wärmeenergie besitzen, um über die Bandlücke angeregt zu werden.
Bandabstand-Engineering ist der Prozess der Kontrolle oder Änderung des Bandabstandes eines Materials durch Kontrolle der Zusammensetzung bestimmter Halbleiterlegierungen, wie z.B. GaAlAs, InGaAs und InAlAs. Es ist auch möglich, mit Techniken wie der Molekularstrahlepitaxie Schichtmaterialien mit wechselnder Zusammensetzung zu konstruieren. Diese Methoden werden bei der Konstruktion von Heteroübergangs-Bipolartransistoren (HBTs), Laserdioden und Solarzellen eingesetzt.
Es ist schwer, eine Grenze zwischen Halbleitern und Isolatoren zu ziehen. Eine Möglichkeit ist, sich Halbleiter als eine Art Isolatoren mit einer schmalen Bandlücke vorzustellen. Isolatoren mit einer größeren Bandlücke, in der Regel größer als 3 eV,[Quelle? ] werden nicht in die Halbleitergruppe eingesetzt und zeigen unter praktischen Bedingungen im Allgemeinen kein halbleitendes Verhalten. Die Elektronenmobilität spielt auch eine Rolle bei der Bestimmung der informellen Gruppierung eines Materials als Halbleiter.
Die Bandlückenenergie von Halbleitern neigt dazu, mit steigender Temperatur abzunehmen. Wenn die Temperatur steigt, nimmt die Amplitude der Atomschwingungen zu, was zu einem größeren interatomaren Abstand führt. Die Wechselwirkung zwischen den Gitterphononen und den freien Elektronen und Löchern wird die Bandlücke ebenfalls ein wenig beeinflussen. Die Beziehung zwischen der Bandlückenenergie und der Temperatur kann durch den empirischen Ausdruck von Varshni beschrieben werden,
E g ( T ) = E g ( 0 ) - α T 2 T + β {\displaystyle E_{g}(T)=E_{g}(0)-{\frac {\alpha T^{2}}{T+\beta }}} wobei Eg(0), α und β materielle Konstanten sind.
In einem regulären Halbleiterkristall ist die Bandlücke aufgrund kontinuierlicher Energiezustände fixiert. In einem Quantenpunktkristall ist die Bandlücke größenabhängig und kann geändert werden, um einen Bereich von Energien zwischen Valenz- und Leitungsband zu erzeugen. Er ist auch als Quanteneinschlusseffekt bekannt.
Bandabstände hängen auch vom Druck ab. Bandabstände können entweder direkt oder indirekt sein, abhängig von der elektronischen Bandstruktur.
Mathematische Auslegung
Klassischerweise ist das Verhältnis der Wahrscheinlichkeiten, dass zwei Zustände mit einer Energiedifferenz ΔE von einem Elektron besetzt werden, durch den Boltzmann-Faktor gegeben:
e ( - Δ E k T ) {\displaystyle e^{\left({\frac {-\Delta E}{kT}}\right)}}
wo:
- e ist die Eulersche Zahl (die Basis der natürlichen Logarithmen)
- ΔE ist die Energiedifferenz
- k ist die Boltzmann-Konstante
- T ist die Temperatur.
Auf der Fermi-Ebene (oder dem chemischen Potential) ist die Wahrscheinlichkeit, dass ein Zustand besetzt ist, ½. Wenn das Ferminiveau in der Mitte einer Bandlücke von 1 eV liegt, beträgt diese Wahrscheinlichkeit e-20 oder etwa 2,0⋅10-9 bei einer thermischen Energie von 25,9 meV bei Raumtemperatur.
Photovoltaische Zellen
Elektronen können sowohl durch Licht als auch durch Wärme angeregt werden. Die Bandlücke bestimmt, welchen Anteil des Sonnenspektrums eine Fotovoltaikzelle absorbiert. Ein Lumineszenz-Sonnenwandler verwendet ein lumineszierendes Medium, um Photonen mit Energien oberhalb der Bandlücke auf Photonenenergien herunterzukonvertieren, die näher an der Bandlücke des Halbleiters liegen, aus dem die Solarzelle besteht.
Liste der Bandlücken
Material | Symbol | Bandlücke (eV) @ 302K | Referenz |
Si | 1.11 | ||
Selen | Se | 1.74 | |
Germanium | Ge | 0.67 | |
Siliziumkarbid | SiC | 2.86 | |
Aluminiumphosphid | AlP | 2.45 | |
Aluminiumarsenid | AlAs | 2.16 | |
Aluminium-Antimonid | AlSb | 1.6 | |
Aluminiumnitrid | AlN | 6.3 | |
C | 5.5 | ||
Gallium(III)-Phosphid | GaP | 2.26 | |
Gallium(III)arsenid | GaAs | 1.43 | |
Gallium(III)-nitrid | GaN | 3.4 | |
Gallium(II)-sulfid | GaS | 2.5 | |
Galliumantimonid | GaSb | 0.7 | |
Indium-Antimonid | InSb | 0.17 | |
Indium(III)-nitrid | InN | 0.7 | |
Indium(III)-Phosphid | InP | 1.35 | |
Indium(III)-Arsenid | InAs | 0.36 | |
Eisendisilizid | β-FeSi2 | 0.87 | |
Zinkoxid | ZnO | 3.37 | |
Zinksulfid | ZnS | 3.6 | |
Zinkselenid | ZnSe | 2.7 | |
Zink-Tellurid | ZnTe | 2.25 | |
Cadmiumsulfid | CdS | 2.42 | |
Cadmiumselenid | CdSe | 1.73 | |
Kadmiumtellurid | CdTe | 1.49 | |
Blei(II)-sulfid | PbS | 0.37 | |
Blei(II)-selenid | PbSe | 0.27 | |
Blei(II)tellurid | PbTe | 0.29 | |
Kupfer(II)-oxid | CuO | 1.2 | |
Kupfer(I)-oxid | Cu2O | 2.1 |
![Das Shockley-Queisser-Limit gibt den maximal möglichen Wirkungsgrad einer Einfachsolarzelle unter unkonzentriertem Sonnenlicht in Abhängigkeit von der Halbleiter-Bandlücke an. Wenn die Bandlücke zu hoch ist, können die meisten Tageslichtphotonen nicht absorbiert werden; ist sie zu niedrig, dann haben die meisten Photonen viel mehr Energie als nötig, um Elektronen über die Bandlücke anzuregen, und der Rest wird verschwendet. Die üblicherweise in kommerziellen Solarzellen verwendeten Halbleiter haben Bandlücken in der Nähe der Spitze dieser Kurve, zum Beispiel Silizium (1,1eV) oder CdTe (1,5eV). Die Shockley-Queisser-Grenze kann durch Tandem-Solarzellen, Konzentration des Sonnenlichts auf die Zelle und andere Methoden überschritten werden.](https://alegsaonline.com/image/220px-ShockleyQueisserFullCurve.svg.png)
![Zoom](https://www.alegsaonline.com/zoom.png)
Das Shockley-Queisser-Limit gibt den maximal möglichen Wirkungsgrad einer Einfachsolarzelle unter unkonzentriertem Sonnenlicht in Abhängigkeit von der Halbleiter-Bandlücke an. Wenn die Bandlücke zu hoch ist, können die meisten Tageslichtphotonen nicht absorbiert werden; ist sie zu niedrig, dann haben die meisten Photonen viel mehr Energie als nötig, um Elektronen über die Bandlücke anzuregen, und der Rest wird verschwendet. Die üblicherweise in kommerziellen Solarzellen verwendeten Halbleiter haben Bandlücken in der Nähe der Spitze dieser Kurve, zum Beispiel Silizium (1,1eV) oder CdTe (1,5eV). Die Shockley-Queisser-Grenze kann durch Tandem-Solarzellen, Konzentration des Sonnenlichts auf die Zelle und andere Methoden überschritten werden.
![Halbleiter-Bandstruktur.](https://alegsaonline.com/image/220px-Bandgap_in_semiconductor.svg.png)
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Halbleiter-Bandstruktur.
In Photonik und Phononik
In der Photonik sind Bandlücken oder Stoppbänder Bereiche von Photonenfrequenzen, in denen bei Vernachlässigung von Tunneleffekten keine Photonen durch ein Material übertragen werden können. Ein Material, das dieses Verhalten zeigt, wird als "photonischer Kristall" bezeichnet.
Ähnliche Physik gilt für Phononen in einem phononischen Kristall.
Fragen und Antworten
F: Was ist eine Bandlücke?
A: Eine Bandlücke, auch Bandlücke oder Energielücke genannt, ist ein Energiebereich in einem Festkörper, in dem keine Elektronenzustände existieren können.
F: Worauf bezieht sich der Begriff in der Festkörperphysik und -chemie?
A: Der Begriff bezieht sich auf den Energieunterschied (in Elektronenvolt) zwischen dem oberen Ende des Valenzbandes und dem unteren Ende des Leitungsbandes. Dies wird auch als die Energie bezeichnet, die erforderlich ist, um ein Elektron der äußeren Schale aus seiner Umlaufbahn um den Kern zu befreien und zu einem mobilen Ladungsträger zu machen.
F: Wie wirkt sie sich auf die elektrische Leitfähigkeit aus?
A: Die Bandlücke ist ein wichtiger Faktor, der die elektrische Leitfähigkeit eines Festkörpers bestimmt. Stoffe mit großen Bandlücken sind in der Regel Isolatoren, Stoffe mit kleineren Bandlücken sind Halbleiter. Leiter haben entweder sehr kleine Bandlücken oder keine Bandlücke, wenn sich die Energieniveaus der Valenz- und Leitungsbänder überschneiden.
F: Wie bewegen sich die Elektronen in Festkörpern?
A: Elektronen können sich in festen Materialien frei bewegen, wenn sie zu mobilen Ladungsträgern werden, nachdem sie sich aus ihren Umlaufbahnen um Kerne befreit haben.
F: Was passiert, wenn Elektronen höhere Energien erreichen?
A: Wenn Elektronen höhere Energien erreichen, können sie die durch die Bandlücke geschaffene Energiebarriere überspringen und zu freien Elektronen werden, die sich in einem festen Material frei bewegen können.
F: Sind alle Festkörper Isolatoren oder Halbleiter?
A: Nicht alle Feststoffe sind Isolatoren oder Halbleiter; einige können Leiter sein, wenn sich ihre Valenz- und Leitungsbänder überlappen, was zu sehr kleinen oder gar keinen Bandlücken führt.